三星正在开发新技术让智能手机和平板使用HBM

在过去数年间，由于人工智能（AI）热潮的推动，高带宽内存（HBM）技术取得了显著发展，其更新迭代步伐大幅加快，成为DRAM产业中备受青睐的关键技术之一。去年，SK海力士通过向英伟达大量供应HBM3和HBM3E产品，一度超越三星，在DRAM市场占据领先地位。

根据Wccftech的报道，三星目前正在研发一种独特的封装创新技术，该技术有望使智能手机和平板电脑能够搭载HBM芯片，从而为移动设备打造高性能的人工智能终端产品。

传统的移动DRAM依赖铜线键合技术，其输入输出（I/O）引脚数量仅限制在128至256个之间。这种方式虽然在提升能效和降低发热方面有一定优势，但同时也伴随着较大的信号损耗问题。三星计划采用超高长宽比的铜柱结构，并结合扇出型晶圆级封装（FOWLP）技术，以提升耐热性，并增强设备在持续工作负载下的性能表现。

借助三星在垂直铜柱堆栈（VCS）方面的创新，DRAM芯片能够以“阶梯”状结构进行堆叠，从而使HBM在移动设备中克服空间尺寸的限制，充分展现其性能优势。据透露，三星已将垂直铜柱堆栈中铜柱的长宽比从现有的3-5:1大幅提升至15:1至20:1。然而，这种方法会导致铜柱直径变小，若直径低于10微米，铜柱可能会发生弯曲甚至断裂。此时，扇出型晶圆级封装技术便发挥作用，通过外延伸铜线的方式增强结构的完整性。同时，这一技术还能增加I/O引脚数量，从而带来约30%的带宽提升。

目前尚不清楚三星将于何时应用这项新技术。根据时间表推测，该技术可能会被集成到Exynos 2800或Exynos 2900处理器中。有传闻称，苹果公司也在考虑将HBM引入iPhone，但不确定是否会选择三星的这项技术。考虑到当前DRAM的市场行情，预计只有在价格稳定后，才有望进一步探讨这种技术方案的可行性。