拒绝挤牙膏！美光HBM4产出效率暴涨2倍明年量产HBM4E已锁定

根据报道，美光公司推出的第六代高带宽内存产品HBM4，其产能增长取得了显著进展。相较于上一代HBM3 12层产品，HBM4的产能爬坡速度实现了两倍的提升，同时良品率优化的速度也明显加快。

美光科技全球运营副总裁马尼什·巴蒂亚日前在摩根大通投资大会上确认，这款产品将应用于英伟达的AI计算平台Vera Rubin。

美光HBM4所使用的核心DRAM芯片，采用了10纳米级别的第五代1β工艺。此外，美光还通过自主优化的基底芯片来进一步增强了产品的整体性能。

美光计划于明年开始量产下一代HBM4E标准产品。这款HBM4E将采用10纳米级别的第六代1γ工艺，这也是美光首次在量产过程中引入ASML公司的EUV光刻设备。

另外，美光的生产策略也将有所调整。HBM4E的基底芯片将委托台积电进行生产。该产品首批上市版本会符合JEDEC标准，后续则会依据客户的具体需求提供定制化版本。

预计到今年年中，美光基于1γ工艺的DRAM以及第九代NAND闪存的出货量，将占据公司整体产量的一半以上。其中，1γ工艺的DRAM有望成为美光历史上规模最大的单一DRAM工艺节点。

在行业竞争方面，三星电子计划于今年第二季度交付HBM4E样品，其基底芯片由三星自家的代工部门采用4纳米工艺制造。

SK海力士则计划于今年下半年提供HBM4E样品，并于明年正式进入量产阶段。其基底芯片将由台积电采用3纳米工艺生产。

来源：快科技