美光HBM4增产进展顺利，HBM4E计划明年启动大规模生产

5月25日消息，根据韩国媒体TheElec今日报道，美光科技正在稳步扩大其第六代高带宽内存HBM4的产能，并计划从明年开始启动下一代HBM4E标准产品的量产工作。

在当地时间5月20日的一次摩根大通投资者会议上，美光科技全球运营执行副总裁马尼什·巴蒂亚透露，美光HBM4的量产爬坡速度大约是去年12层HBM3E产品速度的两倍，良率提升的进程也更为迅速。据了解，HBM4主要针对英伟达的Vera Rubin人工智能计算平台进行设计。

美光指出，HBM4量产提速主要归功于三个因素。首先，是从此前HBM3和12层HBM3E的量产过程中积累的经验以及学习成果。其次，HBM4的核心芯片采用了美光10纳米级第五代1-beta（1β）工艺。

美光表示，1β工艺目前已成为公司的主力技术，并在性能和良率方面展现出稳定的表现。第三，则是美光内部优化的基础芯片设计。美光提到，结合1β DRAM和自主研发的基础芯片后，能够进一步改善产品的整体质量与性能。

不过，从下一代HBM4E开始，美光将调整部分生产策略。HBM4E的核心芯片将转而采用10纳米级第六代1-gamma（1γ）工艺制造。该工艺对应于三星电子和SK海力士的第六代10纳米级1c工艺，同时也是美光首次使用ASML极紫外光刻设备的生产节点。

此外，HBM4E的基础芯片未来将不再由美光自行生产，而是改为委托台积电代工。巴蒂亚表示，目前HBM4E的开发进展顺利，美光预计将在明年启动量产。首批产品将遵循JEDEC标准，同时美光也在开发针对客户需求定制的版本。尽管定制产品的成本高于标准版，但美光认为，凭借更出色的性能和更多功能，市场需求仍将保持强劲。

三星电子和SK海力士目前也在推进HBM4E的开发工作。三星电子计划在今年第二季度交付首批HBM4E样品，其基础芯片将由三星的晶圆代工部门采用与HBM4相同的4纳米工艺制造。

SK海力士则计划在今年下半年向客户提供HBM4E样品，并于明年开始量产。SK海力士未来仍将由台积电负责基础芯片生产，据称将采用3纳米工艺。

美光还预计，到今年年中，基于1γ工艺生产的DRAM以及第九代NAND闪存产品，将占到公司总位元出货量的一半以上。其中，1γ DRAM预计还将成为美光晶圆产量规模最大的单一DRAM工艺节点。

新闻来源：IT之家