芝奇：AMDEXPOULL更适合追求极限性能的用户，X3D处理器收益相对有限

6 月 6 日消息，Tom‘s Hardware 在 2026 年台北国际电脑展期间拜访了芝奇展台，深入了解了 AMD 最新发布的 EXPO Ultra Low Latency（ULL）技术。

AMD EXPO ULL 内存技术旨在让用户通过一键激活的方式，获得比现有 EXPO 配置文件更低的内存延迟。芝奇在现场展台上展示了四款支持 EXPO ULL 的新内存套件。

内存延迟直接影响到处理器从内存读取数据所需的等待时间，因而对处理器的整体性能有着重要影响。

近年来，随着 DDR 内存标准的不断演进，带宽持续提升，但延迟方面的改善却相对有限。对于 DIY 爱好者来说，选购内存时通常会同时关注频率和 CL 时序等参数。例如，在两套 CL30 内存中，频率更高的产品往往能提供更低的实际延迟。

然而，对于 AMD 用户而言，实际情况要复杂得多。当内存速度超过 6000 MT/s 时，通常需要将集成内存控制器与内存切换到 1:2 分频模式，而分频本身会引入额外延迟，这可能会抵消频率提升带来的性能优势。因此，DDR5-6000 CL30 被普遍认为是锐龙系列处理器的内存频率最佳选择。

但最佳选择并不代表其上限，并不意味着 AMD 平台没有进一步优化的空间，EXPO ULL 的推出正是基于这一需求。

据芝奇方面介绍，EXPO ULL 的核心改进不在于提高频率，而是扩展了 EXPO 配置文件可调节的参数范围。

在此之前，无论是 AMD EXPO 还是 Intel XMP，内存厂商基本上只能对四个主要时序进行调整。而在 EXPO ULL 规范下，厂商首次获准针对这些主时序下的子时序（Sub-timings）进行深度优化，并将调校结果直接写入 SPD 信息中。这意味着，EXPO ULL 赋予了内存厂商更多的自由调整空间。

过去，追求极致性能的用户会使用第三方工具手动优化小参，但锐龙 X3D 处理器凭借其大容量 3D V-Cache 降低了对这些精细调整的敏感度，更常见的做法是直接购买一套 DDR5-6000 CL28 或 CL30 内存，开启 EXPO 便完成设置。

现在，EXPO ULL 省去了用户自行探索的繁琐过程，内存厂商可以在实验室中预先完成优化，并将其整合到一键式超频方案中。

不过，芝奇同时指出，EXPO ULL 并不会改变 X3D 与非 X3D 处理器之间的特性差异。将 X3D 芯片与 EXPO ULL 内存搭配使用时，性能提升幅度不会像搭配非 X3D 芯片那样明显。这也是 AMD 选择用 R7 9700X 而非 R7 9850X3D 来宣传 EXPO ULL 性能提升的原因之一。

此外，EXPO ULL 对内存颗粒质量提出了更高要求。支持该技术的产品需要经过更严格的颗粒筛选和分级测试，因此无法简单地通过软件更新来让现有内存获得支持。

从目前公开的信息来看，EXPO ULL 更类似于对现有 EXPO 体系的补充，而非全面升级方案，主要面向追求极限游戏性能的发烧级玩家。

COMPUTEX 2026 台北国际电脑展专题

来源：IT之家